onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 800 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 FDN86265P

Код товара RS: 864-8512Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDN86265P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

800 мА

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.92мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,9 нКл при 10 В

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 805,25

тг 192,21 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 800 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 FDN86265P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 4 805,25
50тг 9 610,50
75тг 14 415,75
100тг 19 221,00
125тг 19 556,25
150тг 23 467,50
175тг 27 378,75
200тг 31 290,00
225тг 35 201,25
250тг 34 642,50
275тг 38 106,75
300тг 41 571,00
325тг 45 035,25
350тг 48 499,50
375тг 51 963,75

тг 4 805,25

тг 192,21 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 800 mA, 150 V, 3-Pin SOT-23 FDN86265P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 4 805,25
50тг 9 610,50
75тг 14 415,75
100тг 19 221,00
125тг 19 556,25
150тг 23 467,50
175тг 27 378,75
200тг 31 290,00
225тг 35 201,25
250тг 34 642,50
275тг 38 106,75
300тг 41 571,00
325тг 45 035,25
350тг 48 499,50
375тг 51 963,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 192,21тг 4 805,25
125 - 225тг 156,45тг 3 911,25
250 - 1475тг 138,57тг 3 464,25
1500 - 2975тг 129,63тг 3 240,75
3000+тг 125,16тг 3 129,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

800 мА

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.92мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,9 нКл при 10 В

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.