P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P

Код товара RS: 671-0444PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDN342P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,3 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P
Select packaging type

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

6,3 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.