ON Semiconductor FDN306P MOSFET

Код товара RS: 124-1702Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDN306P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

12V

Серия

PowerTrench

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Прямое напряжение (Vf)

-1.2V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

500mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.4 mm

Материал каски/сварочной маски

0.94мм

Длина

2.92мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDN306P MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FDN306P MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип P

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

2.6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

12V

Серия

PowerTrench

Корпус

SOT-23

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

40mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

12nC

Прямое напряжение (Vf)

-1.2V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

500mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

8 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.4 mm

Материал каски/сварочной маски

0.94мм

Длина

2.92мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.