ON Semiconductor FDMS86300 MOSFET

Код товара RS: 759-9633PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS86300
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

122 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

Power 56

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

6мм

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor FDMS86300 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

ON Semiconductor FDMS86300 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

122 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

Power 56

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

6мм

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.