onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 22 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86263P

Код товара RS: 864-8486Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS86263P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

94 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 067,70

тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 22 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86263P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 4 067,70
10тг 8 135,40
15тг 12 203,10
20тг 16 270,80
25тг 15 756,75
30тг 18 908,10
35тг 22 059,45
40тг 25 210,80
45тг 28 362,15
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

тг 4 067,70

тг 813,54 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 22 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86263P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 4 067,70
10тг 8 135,40
15тг 12 203,10
20тг 16 270,80
25тг 15 756,75
30тг 18 908,10
35тг 22 059,45
40тг 25 210,80
45тг 28 362,15
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 813,54тг 4 067,70
25 - 245тг 630,27тг 3 151,35
250 - 995тг 518,52тг 2 592,60
1000 - 2995тг 473,82тг 2 369,10
3000+тг 406,77тг 2 033,85

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

94 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.