onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86252L

Код товара RS: 864-8461PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS86252L
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.85мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86252L
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12 A, 150 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86252L

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

5.85мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.