N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183

Код товара RS: 146-4116Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS86183
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.85мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 51 A, 100 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS86183
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.85мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor