N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS4D5N08LCOS

Код товара RS: 195-2498Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS4D5N08LC
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

116 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

113,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

5.85мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS4D5N08LCOS

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 onsemi FDMS4D5N08LCOS
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

116 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

113,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

5.85мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V