ON Semiconductor FDMS4D0N12C MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

67 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

106 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 6 В

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

Philippines