Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 A, 25 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS3602S

Код товара RS: 759-9605Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS3602S
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 А, 40 А

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ, 8,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,2 Вт, 2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Серия

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В, 45 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

6мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 A, 25 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS3602S
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 023,63
2тг 2 047,26
3тг 3 070,89
4тг 4 094,52
5тг 5 118,15
6тг 6 141,78
7тг 7 165,41
8тг 8 189,04
9тг 9 212,67
10тг 10 236,30
11тг 11 259,93
12тг 12 283,56
13тг 13 307,19
14тг 14 330,82
15тг 15 354,45

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 40 A, 25 V, 8-Pin Power 56 onsemi FDMS3602S

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 023,63
2тг 2 047,26
3тг 3 070,89
4тг 4 094,52
5тг 5 118,15
6тг 6 141,78
7тг 7 165,41
8тг 8 189,04
9тг 9 212,67
10тг 10 236,30
11тг 11 259,93
12тг 12 283,56
13тг 13 307,19
14тг 14 330,82
15тг 15 354,45

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 023,63
25 - 99тг 822,48
100 - 999тг 674,97
1000 - 2999тг 509,58
3000+тг 500,64

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 А, 40 А

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,9 мΩ, 8,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,2 Вт, 2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Серия

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В, 45 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

6мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.