Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Ширина
3.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Высота
0.75мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Ширина
3.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.4мм
Высота
0.75мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре