onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ

Код товара RS: 184-4217Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMA2002NZ
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

268 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

2мм

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.75мм

Страна происхождения

Thailand

P.O.A.

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ

P.O.A.

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

268 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

2мм

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.75мм

Страна происхождения

Thailand