onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1032CZ

Код товара RS: 671-0374Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMA1032CZ
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

MLP

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

68 мΩ, 95 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Типичный заряд затвора при Vgs

4 нКл при 4,5 В, 7 нКл при 4,5 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 385,70

тг 277,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1032CZ
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 385,70
10тг 2 771,40
15тг 4 157,10
20тг 5 542,80
25тг 4 693,50
30тг 5 632,20
35тг 6 570,90
40тг 7 509,60
45тг 8 448,30
50тг 9 387,00
55тг 10 325,70
60тг 11 264,40
65тг 12 203,10
70тг 13 141,80
75тг 14 080,50

тг 1 385,70

тг 277,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1032CZ

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 385,70
10тг 2 771,40
15тг 4 157,10
20тг 5 542,80
25тг 4 693,50
30тг 5 632,20
35тг 6 570,90
40тг 7 509,60
45тг 8 448,30
50тг 9 387,00
55тг 10 325,70
60тг 11 264,40
65тг 12 203,10
70тг 13 141,80
75тг 14 080,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 277,14тг 1 385,70
25 - 95тг 187,74тг 938,70
100 - 245тг 129,63тг 648,15
250 - 495тг 125,16тг 625,80
500+тг 125,16тг 625,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 А, 3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

MLP

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

68 мΩ, 95 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Типичный заряд затвора при Vgs

4 нКл при 4,5 В, 7 нКл при 4,5 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.