onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 167 A, 150 V, 3-Pin TO-247 FDH055N15A

Код товара RS: 864-8158Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDH055N15A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

167 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

429 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

20.82мм

Типичный заряд затвора при Vgs

92 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

15.87мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 521,08

тг 2 521,08 Each (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 167 A, 150 V, 3-Pin TO-247 FDH055N15A
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 521,08
2тг 5 042,16
3тг 7 563,24
4тг 10 084,32
5тг 11 219,70
6тг 13 463,64
7тг 15 707,58
8тг 17 951,52
9тг 20 195,46
10тг 22 439,40
11тг 24 683,34
12тг 26 927,28
13тг 29 171,22
14тг 31 415,16
15тг 33 659,10

тг 2 521,08

тг 2 521,08 Each (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 167 A, 150 V, 3-Pin TO-247 FDH055N15A

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 521,08
2тг 5 042,16
3тг 7 563,24
4тг 10 084,32
5тг 11 219,70
6тг 13 463,64
7тг 15 707,58
8тг 17 951,52
9тг 20 195,46
10тг 22 439,40
11тг 24 683,34
12тг 26 927,28
13тг 29 171,22
14тг 31 415,16
15тг 33 659,10

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 521,08
5 - 49тг 2 243,94
50 - 99тг 1 837,17
100 - 299тг 1 685,19
300+тг 1 555,56

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

167 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

429 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

20.82мм

Типичный заряд затвора при Vgs

92 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

15.87мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.