onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 750 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 FDG8850NZ
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
750 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-363
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
1,03 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
750 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-363
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
1,03 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.