Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 600 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) onsemi FDG6332C-F085

Код товара RS: 166-2275Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDG6332C-F085
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

600 мА, 700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-363 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.25мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,4 нКл при 4,5 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 600 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) onsemi FDG6332C-F085

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 600 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) onsemi FDG6332C-F085
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

600 мА, 700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-363 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.25мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,1 нКл при 4,5 В, 1,4 нКл при 4,5 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.