ON Semiconductor MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
259 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт, 360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
259 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт, 360 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.