onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN

Код товара RS: 761-9838Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDC6561AN
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

152 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,3 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 698,60
20тг 3 397,20
30тг 5 095,80
40тг 6 794,40
50тг 8 493,00
60тг 10 191,60
70тг 11 890,20
80тг 13 588,80
90тг 15 287,40
100тг 11 622,00
110тг 12 784,20
120тг 13 946,40
130тг 15 108,60
140тг 16 270,80
150тг 17 433,00

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 698,60
20тг 3 397,20
30тг 5 095,80
40тг 6 794,40
50тг 8 493,00
60тг 10 191,60
70тг 11 890,20
80тг 13 588,80
90тг 15 287,40
100тг 11 622,00
110тг 12 784,20
120тг 13 946,40
130тг 15 108,60
140тг 16 270,80
150тг 17 433,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 169,86тг 1 698,60
100 - 490тг 116,22тг 1 162,20
500 - 990тг 116,22тг 1 162,20
1000 - 2990тг 89,40тг 894,00
3000+тг 75,99тг 759,90

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

152 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,3 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.