onsemi N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085

Код товара RS: 178-4421Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDBL86066-F085
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

240 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

H-PSOF8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

11.78мм

Длина

9.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.25V

Высота

2.4мм

Страна происхождения

Philippines

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FDBL86066-F085 MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085
Select packaging type

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FDBL86066-F085 MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

240 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

H-PSOF8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

11.78мм

Длина

9.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.25V

Высота

2.4мм

Страна происхождения

Philippines

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FDBL86066-F085 MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 2000) (ex VAT)