ON Semiconductor FDB075N15A MOSFET

Код товара RS: 166-3402Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDB075N15A
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

77 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FDB075N15A MOSFET

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FDB075N15A MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

77 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.