onsemi N-Channel MOSFET, 24 A, 500 V, 2-Pin TO-3PN FDA24N50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
UniFET
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
270 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
65 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Высота
20.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 2 842,92
тг 1 421,46 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 842,92
тг 1 421,46 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 421,46 | тг 2 842,92 |
| 10 - 18 | тг 1 162,20 | тг 2 324,40 |
| 20 - 98 | тг 1 139,85 | тг 2 279,70 |
| 100 - 198 | тг 956,58 | тг 1 913,16 |
| 200+ | тг 938,70 | тг 1 877,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Серия
UniFET
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
270 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
65 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Высота
20.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.