ON Semiconductor FCU360N65S3R0 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

IPAK

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Ширина

2.5мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

6.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China