ON Semiconductor FCPF067N65S3 MOSFET

Код товара RS: 172-3426Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCPF067N65S3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

67 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Высота

16.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FCPF067N65S3 MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FCPF067N65S3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

67 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Высота

16.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China