ON Semiconductor FCP165N65S3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

154 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

16.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China