ON Semiconductor FCP13N60N MOSFET

Код товара RS: 739-6143Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCP13N60N
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

258 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

116 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30,4 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 139,85

Each (ex VAT)

ON Semiconductor FCP13N60N MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 139,85
2тг 2 279,70
3тг 3 419,55
4тг 4 559,40
5тг 5 699,25
6тг 6 839,10
7тг 7 978,95
8тг 9 118,80
9тг 10 258,65
10тг 11 085,60
11тг 12 194,16
12тг 13 302,72
13тг 14 411,28
14тг 15 519,84
15тг 16 628,40

тг 1 139,85

Each (ex VAT)

ON Semiconductor FCP13N60N MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 139,85
2тг 2 279,70
3тг 3 419,55
4тг 4 559,40
5тг 5 699,25
6тг 6 839,10
7тг 7 978,95
8тг 9 118,80
9тг 10 258,65
10тг 11 085,60
11тг 12 194,16
12тг 13 302,72
13тг 14 411,28
14тг 15 519,84
15тг 16 628,40

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 139,85
10 - 49тг 1 108,56
50 - 99тг 1 054,92
100 - 249тг 889,53
250+тг 840,36

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

258 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

116 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Ширина

4.83мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30,4 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.