ON Semiconductor FCP125N65S3R0 MOSFET

Код товара RS: 178-4242Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCP125N65S3R0
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

181 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Высота

16.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FCP125N65S3R0 MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FCP125N65S3R0 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

181 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Высота

16.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China