N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 4-Pin PQFN4 onsemi FCMT360N65S3

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

8мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V