ON Semiconductor FCH76N60N MOSFET

Код товара RS: 739-6131PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FCH76N60N
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SupreMOS

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

543 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

218 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.95мм

Ширина

5.03мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21мм

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FCH76N60N MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor FCH76N60N MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SupreMOS

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

543 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

218 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.95мм

Ширина

5.03мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21мм

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.