onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 77 A, 600 V, 3-Pin TO-247 FCH041N60E

Код товара RS: 809-5053Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCH041N60E
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SuperFET II

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

592 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

285 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.82мм

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 4 693,50

тг 4 693,50 Each (ex VAT)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 77 A, 600 V, 3-Pin TO-247 FCH041N60E
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 693,50
2тг 9 387,00
3тг 14 080,50
4тг 18 774,00
5тг 23 020,50
6тг 27 624,60
7тг 32 228,70
8тг 36 832,80
9тг 41 436,90
10тг 38 754,90
11тг 42 630,39
12тг 46 505,88
13тг 50 381,37
14тг 54 256,86
15тг 58 132,35

тг 4 693,50

тг 4 693,50 Each (ex VAT)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 77 A, 600 V, 3-Pin TO-247 FCH041N60E

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 693,50
2тг 9 387,00
3тг 14 080,50
4тг 18 774,00
5тг 23 020,50
6тг 27 624,60
7тг 32 228,70
8тг 36 832,80
9тг 41 436,90
10тг 38 754,90
11тг 42 630,39
12тг 46 505,88
13тг 50 381,37
14тг 54 256,86
15тг 58 132,35

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 4 693,50
5 - 9тг 4 604,10
10 - 49тг 3 875,49
50 - 99тг 3 656,46
100+тг 3 263,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SuperFET II

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

592 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

285 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.82мм

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.