ON Semiconductor FCH023N65S3L4 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

75 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

595 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Длина

15.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

222 нКл при 10 В

Ширина

5.2мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

22.74мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China