ON Semiconductor FCA47N60F MOSFET

Код товара RS: 124-1456Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCA47N60F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

73 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

417 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

210 нКл при 10 В

Высота

20.1мм

Серия

SuperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FCA47N60F MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FCA47N60F MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

73 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

417 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

210 нКл при 10 В

Высота

20.1мм

Серия

SuperFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.