N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FCA22N60N

Код товара RS: 759-9431Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCA22N60N
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

205 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.8мм

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 998,09

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FCA22N60N
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 998,09
2тг 3 996,18
3тг 5 994,27
4тг 7 992,36
5тг 9 789,30
6тг 11 747,16
7тг 13 705,02
8тг 15 662,88
9тг 17 620,74
10тг 15 734,40
11тг 17 307,84
12тг 18 881,28
13тг 20 454,72
14тг 22 028,16
15тг 23 601,60

тг 1 998,09

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FCA22N60N
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 998,09
2тг 3 996,18
3тг 5 994,27
4тг 7 992,36
5тг 9 789,30
6тг 11 747,16
7тг 13 705,02
8тг 15 662,88
9тг 17 620,74
10тг 15 734,40
11тг 17 307,84
12тг 18 881,28
13тг 20 454,72
14тг 22 028,16
15тг 23 601,60

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 1 998,09
5 - 9тг 1 957,86
10 - 99тг 1 573,44
100 - 449тг 1 323,12
450+тг 1 296,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

205 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.8мм

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SupreMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.