Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 24 V Depletion, 10-Pin WLCSP ON Semiconductor EFC4K110NUZTDG
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
24 В
Тип корпуса
WLCSP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
10
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Двойной
Максимальное напряжение затвор-исток
±12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 при 4,5 в нКл
Ширина
2.13мм
Количество элементов на ИС
2
Высота
0.17мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
24 В
Тип корпуса
WLCSP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
10
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Двойной
Максимальное напряжение затвор-исток
±12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 при 4,5 в нКл
Ширина
2.13мм
Количество элементов на ИС
2
Высота
0.17мм