Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH8, SOT-28FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Высота
0.88мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH8, SOT-28FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Высота
0.88мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
China
Информация о товаре