ON Semiconductor ECH8659-TL-W MOSFET

Код товара RS: 145-5295Бренд: onsemiПарт-номер производителя: ECH8659-TL-W
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

ECH8, SOT-28FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,8 нКл при 10 В

Высота

0.88мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor ECH8659-TL-W MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor ECH8659-TL-W MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

ECH8, SOT-28FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,8 нКл при 10 В

Высота

0.88мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor