ON Semiconductor ECH8310-TL-H MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

ECH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2.3мм

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China