Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
35 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4 нКл при 10 В
Ширина
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 35V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное напряжение сток-исток
35 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4 нКл при 10 В
Ширина
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре