P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS84LT1G

Код товара RS: 184-4197Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BVSS84LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

130 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.01мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.2V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS84LT1G

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS84LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

130 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.01мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

2.2V

Страна происхождения

China