N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS138LT1G

Код товара RS: 184-4196Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BVSS138LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.85V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS138LT1G

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS138LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.85V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China