ON Semiconductor MOSFET

Код товара RS: 146-2168Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS138W
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

210mA

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

50V

Корпус

SC-70

Серия

BSS138W

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

340mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

1.1nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.25 mm

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Длина

2мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MOSFET

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

210mA

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

50V

Корпус

SC-70

Серия

BSS138W

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

6Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

340mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

1.1nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.25 mm

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Длина

2мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.