Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 3100 | P.O.A. |
3125 - 6225 | P.O.A. |
6250 - 12475 | P.O.A. |
12500 - 24975 | P.O.A. |
25000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре