Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
200mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
50V
Корпус
SOT-23
Серия
BSS138L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
225mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
160nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
0.94мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Czech Republic
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
200mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
50V
Корпус
SOT-23
Серия
BSS138L
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
225mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
160nC
Прямое напряжение (Vf)
1.2V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
0.94мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
Czech Republic
Информация о товаре
