ON Semiconductor BSS138 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
220mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
50V
Корпус
SOT-23
Серия
BSS138
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
1.7nC
Прямое напряжение (Vf)
0.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
360mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
220mA
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
50V
Корпус
SOT-23
Серия
BSS138
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
1.7nC
Прямое напряжение (Vf)
0.8V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
360mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.3 mm
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.