N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G

Код товара RS: 545-0135PБренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS123LT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.94мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.
Вас может заинтересовать
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.94мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)
Infineon BSS123 МОП-транзистор (MOSFET)Бренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)