ON Semiconductor BSS123 MOSFET

Код товара RS: 124-1693Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSS123
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

2.92мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BSS123 MOSFET

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BSS123 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

PowerTrench

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

2.92мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.