Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Тип корпуса
TO-3P
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В, +35 В
Ширина
5.5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
37,5 нКл при 10 В
Высота
24.5мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Тип корпуса
TO-3P
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В, +35 В
Ширина
5.5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
15.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
37,5 нКл при 10 В
Высота
24.5мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре