onsemi N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002KW
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 4 470,00
тг 44,70 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 4 470,00
тг 44,70 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 100 - 400 | тг 44,70 | тг 4 470,00 |
| 500 - 900 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 1000 - 4900 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 5000 - 9900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 10000+ | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.2мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.