ON Semiconductor 2N7002ET MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

260 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0.81 nC @ 5 V

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.94мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Czech Republic