Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
287 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.1мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Серия
NVMFS5C604NL
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
287 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.1мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Серия
NVMFS5C604NL
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре