ON Semiconductor NVMFD5853NLT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

2

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia