ON Semiconductor NTZD5110NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

310 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-563

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,7 нКл при 4,5 В

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Страна происхождения

Malaysia